光アドレス型刺激電極の薄膜構成最適化

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC8-4

グループ名: 【C】平成19年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2007/09/04

タイトル(英語): Optimization of thin-film-laminated structure for light-addressable stimulation electrode

著者名: 硯川 潤(東京大学),神崎 亮平(東京大学),中尾 政之(東京大学),神保 泰彦(東京大学),高橋 宏知(東京大学)

著者名(英語): Jun Suzurikawa(The University of Tokyo),Ryohei Kanzaki(The University of Tokyo),Masayuki Nakao(The University of Tokyo),Yasuhiko Jimbo(The University of Tokyo),Hirokazu Takahashi(The University of Tokyo)

キーワード: 光アドレス|培養神経細胞|電気刺激|アバランシェ効果|電界半導体薄膜|light addressing|cultured neurons|electrical stimulation|avalanche effect|electric fieldthin-film semiconductor

要約(日本語): 光導電性培養基板への光照射で培養神経細胞の刺激・計測位置を選択できる「光アドレス法」の空間分解能向上には,光導電体の薄膜化が有効である.しかし,刺激を目的とする場合,光導電体薄膜中の電界強度がバルクと比べて相対的に強まり,暗部でアバランシェ効果が生じやすくなるため,印加電圧範囲が制限される.本研究では,光導電層及び上部保護層の膜厚・導電率と電極の電流-電圧特性との関係を調べることで,所望の刺激強度に応じて膜構成を最適化する手法を構築する.また,同手法の有用性を検証するために,光導電体として二酸化チタン薄膜を用いた光アドレス電極を新たに設計・試作・試用する.

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