Si-MISFET高性能化の動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-1

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): Current Performance Progress of Si MISFETs

著者名: 若林 整(ソニー)

著者名(英語): hitoshi Wakabayashi(Sony Corporation)

キーワード: シリコン|MISFET|ローカル歪み|金属ゲート電極|高誘電率ゲート絶縁膜|Silicon|MISFET|Local strain|Metal gate electrode|High-k dielectrics

要約(日本語): Logic LSI向け高性能Si-MISFETの高性能化の動向について示す。微細化のみによる高性能化がゲート電極長100 nm程度以下では難しいために適用されている、チャネル領域への歪み印加による移動度向上技術や、金属ゲート電極と高誘電率(High-k)ゲート絶縁膜によるゲート容量向上技術について示す。さらに今後の性能向上手法も紹介する。

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