III-V MISFET on Siを目指したSi(111)上InGaAsの選択ヘテロエピタキシャル成長

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-2

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): Hetero-epitaxial growth of InGaAs on Si(111) for III-V MISFET on Si

著者名: 杉山 正和(東京大学),出浦 桃子(東京大学),竹中 充(東京大学),高木 信一(東京大学),中野 義昭(東京大学)

著者名(英語): masakazu Sugiyama(University of Tokyo),momoko Deura(University of Tokyo),mitsuru Takenaka(University of Tokyo),shinichi Takagi(University of Tokyo),yoshiaki Nakano(University of Tokyo)

キーワード: MOVPE|InGaAs|Si上成長|選択成長|MOVPE|InGaAs|Growth on Si|Slective Area Growth

要約(日本語): 高電子移動度のIII-V MISFETをシリコンLSIに混載するための基礎研究が活発におこなわれつつあるが，シリコンウエハへのIII-Vエピ結晶層の導入はその根幹を占める重要技術である．III-V半導体のシリコン上ヘテロエピタキシャル成長は永年の課題として検討されてきたが，格子不整合のため良好な結晶層を得ることは困難であった．本研究では，結晶層としてInGaAsを選択し，選択成長基板を用いて初期核発生領域をμｍ程度に狭搾し，その後の横方向成長を用いることで貫通転移のないヘテロエピ成長を実現している．

PDFファイルサイズ: 4,398 Kバイト