MOVPE再成長n+ソースを有するIII-V族高移動度チャネルMOSFET

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-3

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): High mobility III-V MOSFET with n+-source regrown by MOVPE

著者名: 金澤 徹(東京工業大学),齋藤 尚史(東京工業大学),若林 和也(東京工業大学),田島 智宣(東京工業大学),宮本 恭幸(東京工業大学),古屋 一仁(東京工業大学)

著者名(英語): toru Kanazawa(Tokyo Institute of Technology),hisashi Saito(Tokyo Institute of Technology),kazuya Wakabayashi(Tokyo Institute of Technology),tomonori Tajima(Tokyo Institute of Technology),yasuyuki Miyamoto(Tokyo Institute of Technology),kazuhito Furuya(Tok)

キーワード: Ⅲ-Ⅴ族MOSFET|高移動度チャネル|MOVPE|再成長ソース|III-V MOSFET|High mobility channel|MOVPE|regrown source

要約(日本語): 集積回路用MOSFETの性能向上のため、新たなテクノロジーブースターが必要となりつつある。本発表では2016年以降のデバイス要求性能の達成へ向けた試みとして、従来のシリコンに比べて高い移動度を有するアンドープInP/InGaAsコンポジットチャネルとMOVPE再成長により1019 cm-3以上にドーピングされたソース・ドレインを組み合わせたn-MOSFETの作製とその特性について述べる。

PDFファイルサイズ: 3,651 Kバイト