超薄層InAlP/InGaAsヘテロ接合のMOVPE成長と超高速電子デバイスへの応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-4

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): MOVPE-Grown Ultrathin InAlP/InGaAs Heterojunctions for High-Speed Electronics

著者名: 杉山弘樹(NTTフォトニクス研究所),横山春喜(NTTフォトニクス研究所),重川直輝(NTTフォトニクス研究所),榎木孝知(NTTフォトニクス研究所),寺西豊志(東京工業大学),鈴木左文(東京工業大学),浅田雅洋(東京工業大学)

著者名(英語): Hiroki Sugiyama(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation.),Haruki Yokoyama(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation.),Naoteru Shigekawa(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation.),Takatomo Enoki(NTT Photonics Laboratories,NTT Corporation.)

キーワード: InAlP|InGaAs|有機金属気相成長法|高電子移動度トランジスタ|エッチング停止層共鳴トンネルダイオード|InAlP|InGaAs|MOVPE|High Electron Mobility Transistor|etching stopperresonant tunneling diode

要約(日本語): InP系トランジスタは、材料系固有のポテンシャルを生かしてテラヘルツ領域の遮断周波数、最大発振周波数を目指した超高速化の研究が進められており、そのSi系デバイスとのハイブリッド化も含め、"More than Moore"の基盤技術として期待される。我々は、超高速InP系HEMTへの応用を主たる目的として、超薄層InAlP/InGaAsヘテロ接合のMOVPE成長を検討した。本講演では、ゲートリセス工程の簡便化に有効なInAlP選択エッチング停止層の2nmまでの薄層化、同ヘテロ接合の電気特性をRTD構造を利用して評価した結果等について述べる。

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