GaN系HEMT技術　～現状と将来展望～

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-5

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): GaN Based HEMT Technology - Current Status and Future Prospect -

著者名: 原直紀(富士通研究所),吉川俊英(富士通研究所／富士通),多木俊裕(富士通研究所／富士通),金村雅仁(富士通研究所／富士通),牧山剛三(富士通研究所／富士通),今西健治(富士通研究所／富士通),常信和清(富士通研究所／富士通)

著者名(英語): naoki Hara|toshihide Kikkawa|Fujitsu toshihiro|Ohki Fujitsu|masahito Kanamura|Fujitsu kozo|Makiyama Fujitsu|kenji Imanishi

キーワード: 窒化ガリウム|ミリ波|パワー増幅器|パワーエレクトロニクス|GaN|millimeter wave|power amplifier|power electronics

要約(日本語): GaN系HEMT技術の現状および将来展望を紹介する。1990年代後半より活発に研究が行われてきたGaN系電子デバイスは携帯電話基地局用高出力増幅器として実用化された。本発表では、実用化されているデバイスの特性に加えて、将来技術として、ミリ波帯応用およびパワーエレクトロニクス応用に向けたデバイスの開発状況について報告する。

PDFファイルサイズ: 2,647 Kバイト