GaN系 HEMTにおける Si注入ドーピング技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-6

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): Si ion implantation doping for GaN-based HEMTs

著者名: 南條拓真 (三菱電機),今井 章文(三菱電機),吹田 宗義(三菱電機),阿部 雄次(三菱電機),柳生 栄治(三菱電機),蔵田 哲之(三菱電機)

著者名(英語): takuma Nanjo(Mitsubishi Electric corporation),akifumi Imai(Mitsubishi Electric corporation),muneyoshi Suita(Mitsubishi Electric corporation),yuji Abe(Mitsubishi Electric corporation),eiji Yagyu(Mitsubishi Electric corporation),tetsuyuki Kurata(Mitsubishi)

キーワード: GaN|AlGaN|HEMT|Si ion implantation|AlN spacer

要約(日本語): AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波高出力素子として期待されており、優れた特性が数多く報告されている。このAlGaN/GaN HEMTを高性能化する技術として、AlGaN層のノンドーピング化や、AlGaN/GaN界面へのAlNスペーサ層の挿入、バリア層やチャネル層の高Al組成化などが挙げられる。しかし、そのどれもがオーミック特性には悪影響を及ぼす。これを回避するためにSiイオン注入ドーピングを行なった結果、AlNスペーサ層や高Al組成化の効果を十分に引き出し、特性が改善することがわかった。Si注入ドーピング技術はGaN系HEMTの特性改善に有効な手段であると言える。

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