GaN系電子デバイスの最新技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-7

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): Recent Advances on GaN-based Electronic Devices

著者名: 上田 哲三(パナソニック),田中 毅(パナソニック),上田 大助(パナソニック)

著者名(英語): tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation),tsuyoshi Tanaka(Panasonic Corporation),daisuke Ueda(Panasonic Corporation)

キーワード: 窒化ガリウム|パワートランジスタ|高耐圧|低オン抵抗|スイッチング高周波|Gallium Nitride|Power Transistor|High Breakdown Voltage|Low On-state Resistance|SwitchingHigh Frequency

要約(日本語): 従来の半導体材料の材料限界を打ち破る将来の高出力・高周波トランジスタとして期待されるGaN系電子デバイスについて、最新デバイス技術を紹介する。ここではスイッチング応用に向けた低コストSi基板上のノーマリオフ型トランジスタ(Gate Injection Transistor)・10kV超高耐圧トランジスタ等の高出力トランジスタとミリ波長距離通信応用に向けた高周波トランジスタについて紹介する。

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