メタルソース/ドレインMOSFETにおける擬似バリスティック輸送と低消費電力LSI技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC2-3

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): Quasi Ballistic Transport in Metal Source/Drain MOSFETs as a Technology Booster for Low Power LSI

著者名: 木下 敦寛(東芝研究開発センター)

著者名(英語): Atsuhiro Kinoshita(Toshiba Corporate R&D Center)

キーワード: メタルソース/ドレイン|ショットキーソース/ドレイン|不純物偏析|擬似バリスティック|低消費電力LSI|metal source/drain|Schottky source/drain|dopant segregation|quasi ballistic|low powerLSI

要約(日本語): MOSFETの微細化が進む中，32nmや22nmといったディープサブ100nm世代においては，ソースから注入された後，チャネル中で無散乱のままドレインに到達してしまう「バリスティックキャリア」がMOSFET全体の電流に無視できない影響を及ぼしている．このようないわゆる擬似バリスティック輸送状態では，ソース端近傍でのキャリアの速度をエンジニアリングすることによってMOSFETの電流駆動力を維持したまま駆動電圧を下げられるため，低消費電力なLSIを実現できる可能性がある．本講演では，上記のような現象を実験面から検証し，不純物偏析型メタルソース/ドレインMOSFETにおけるソース端キャリア速度のエンジニアリング例と，低消費電力動作回路への応用について述べる．

PDFファイルサイズ: 274 Kバイト