立体チャネルマルチゲートMOSFETデバイス技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC2-5

グループ名: 【C】平成21年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2009/09/03

タイトル(英語): Vertical Ultrathin-Channel Multigate MOSFET Device Technology

著者名: 昌原明植 (産業技術総合研究所),遠藤 和彦(産業技術総合研究所),大内真一 (産業技術総合研究所),松川 貴(産業技術総合研究所),リウ ヨンシュン(産業技術総合研究所)

著者名(英語): meishoku Masahara(National Institute of AIST),kazuhiko Endo(National Institute of AIST),Shinichi Ouchi(National Institute of AIST),takashi Matsukawa(National Institute of AIST),yongxun Liu(National Institute of AIST)

キーワード: トランジスタ|マルチゲート|製造技術|回路設計|記憶素子|MOSFET|Multi-Gate|CMOS Process Technology|Circuit Design|SRAM

要約(日本語): 22nm技術ノード以細のULSI回路における最大の課題は、短チャネル効果に起因した待機時消費電力を、特性ペナルティ無しに如何に抑え込むか、である。立体チャネルマルチゲートMOSFETは、その極めて高い短チャネル効果抑制能から、この課題を解決し得る素子として近年注目を浴びている。本稿では、立体チャネルマルチゲートMOSFETを実用に際し乗り越えるべき技術的課題、具体的にはプロセス技術、回路設計技術、およびSRAM応用などの課題解決に向けた取り組みについて論じる。

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