1.0Vで動作するデバイスパラメータに低感度なCMOS温度センサ回路

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS2-1

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): A 1.0V CMOS Temperature Sensor Circuit Insensitive to Device Parameters

著者名: 坂元 亮太(宮崎大学),淡野公一 (宮崎大学),田村 宏樹(宮崎大学),外山 貴子(宮崎大学)

著者名(英語): Ryota Sakamoto(University of Miyazaki),Koichi Tanno(University of Miyazaki),Hiroki Tamura(University of Miyazaki),Takako Toyama(University of Miyazaki)

キーワード: 温度センサ|CMOS|PTAT|アナログ集積回路|デバイスパラメータ|Temperature Sensors|CMOS|PTAT|Analog Integrated Circuits|Device Parameters

要約(日本語): 本論文では，低消費電力，1.0V動作，デバイスパラメータに低感度，という特長を持つ温度センサ回路を提案する．次に，提案した回路をカスケード接続することによって実現できる温度変化に高感度な温度センサ回路を設計し，この回路の出力電圧を周波数に変換する．0.35μmデバイスパラメータを用い，HSPICEによるシミュレーションを行った結果，0~100℃の間で出力は234~334kHzの値を示し，最大消費電力は2.39μWであった．

PDFファイルサイズ: 2,876 Kバイト