X線光電子分光法(XPS)によるSi基板上のシランカップリング処理層の再生評価と制御

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS10-3

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): Control and Evaluation of Silane Coupled Si Wafer by Using XPS

著者名: 相場 崇(長岡技術科学大学),河合 晃(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Takashi Aiba(Nagaoka University of Technology),Akira Kawai(Nagaoka University of Technology)

キーワード: MEMS|XPS|FT-IR|HMDS|シランカップリング処理表面自由エネルギー|MEMS|XPS|FT-IR|HMDS|Silane coupling treatmentSurface free energy

要約(日本語): シランカップリング剤(HMDS)を用いたSi基板上の濡れ性制御は、高分子材料との密着性において重要な役割を有しており、高分子材料を用いるMEMSやプロセスの超微細化において技術的必要性が年々高まっている。本発表ではXPSを用いて、シランカップリング処理されたSi基板表面の解析を行い、接触角測定による表面自由エネルギーの計算、FT-IR測定による解析結果との関連付けを行う。そして、シランカップリング層の再生処理を行い、その有効性を議論する。

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