レーザプロセス装置ベンチャーの事業紹介：パワー半導体用レーザアニーラ

カテゴリ: 部門大会

論文No: OS11-6

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): Business Introduction for A Venture of Laser Process Equipments : Laser Annealer for Power Devices

著者名: 楡 孝(フェトン),松野 明(フェトン),安藤 聡(フェトン)

著者名(英語): Takashi Nire(Phoeton Corporation),Akira Matsuno(Phoeton Corporation),Satoshi Ando(Phoeton Corporation)

キーワード: レーザプロセス|ベンチャー|パワー半導体|レーザアニーラ|IGBT|Laser Process|Venture|Power Device|Laser Annealer|IGBT

要約(日本語): フェトン株式会社は2002年創業のレーザプロセス装置ベンチャーです。研究開発型ベンチャーの一事例として当社の事業を紹介し、併せてレーザプロセス装置の具現例としてパワー半導体用レーザアニーラを紹介します。本商品は2波長のCWレーザを用いて、100μm以下の薄板Siウェハの表面の温度を100℃以下に保ったまま裏面数μmの領域を活性化することが可能で、薄型IGBTの新しい量産プロセスを提供するものです。

PDFファイルサイズ: 21,374 Kバイト