High-Tc SIS型SQUID開発のための要素技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS1-6

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): Elemental technologies for development High-Tc SIS type SQUID

著者名: 下村 祐斗(富山高等専門学校),大石 朋弥(富山高等専門学校),石田 弘樹(富山高等専門学校)

著者名(英語): Yuto Shimomura(Toyama National College of Technology),Tomoya Oishi(Toyama National College of Technology),Hiroki Ishida(Toyama National College of Technology)

キーワード: 超伝導|固有ジョセフソン接合|量子干渉型デバイスSQUID量子干渉型デバイスSQUID|superconductor|Intrinsic Josephson junction|SQUID

要約(日本語): 銅酸化高温超伝導体単結晶を用いた超伝導デバイスの研究を行っている。Bi-2212のもつ固有ジョセフソン効果を利用した高品質のジョセフソントンネル素子を作製し、超高感度磁気センサ（SQUID）へ発展させ応用することを目的としている。実現のためには、いくつかの課題を解決しなければならない。本研究では、ジョセフソントンネル素子の並列接続、シャント抵抗の接続について検討を行う。

PDFファイルサイズ: 2,638 Kバイト