化合物半導体上におけるInSbナノワイヤーの成長

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS1-9

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): Growth of InSb nanowire on compound semiconductor substrate

著者名: 大川 一成(富山大学),河合 太宮人(富山大学),森 雅之(富山大学),前澤宏一 (富山大学)

著者名(英語): Issei Ookawa(Toyama University),Takuto Kawai(Toyama University),Masayuki Mori(Toyama University),Koichi Maezawa(Toyama University)

キーワード: ナノワイヤー|InSb|MBE|GaAs|化合物半導体金コロイド|nanowire|InSb|MBE|GaAs|compound semiconductorAu colloid

要約(日本語): 我々はMBE法を用いてGaAs基板上にInSbナノワイヤーを成長させ、蒸着時間と成長長さの関係を調査しました。蒸着時間が長くなればなるほど、最大成長長さ、平均成長長さが長くなるが、蒸着時間が240分より長くなると成長速度が飽和傾向になることが判明しました。

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