InSb単分子層を介したSi基板上への高移動度InSb薄膜の作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS1-10

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): High electron mobility InSb films grown on Si(111) with InSb bi-layer

著者名: 中山 幸二(富山大学),中谷 公彦(富山大学),安井 雄一郎(富山大学),森 雅之(富山大学),前澤宏一 (富山大学)

著者名(英語): Koji Nakayama(University of Toyama),Kimihiko Nakatani(University of Toyama),Yuichiro Yasui(University of Toyama),Masayuki Mori(University of Toyama),Koichi Maezawa(University of Toyama)

キーワード: InSb|MBE|化合物半導体|単分子層|表面再構成|InSb|MBE|compound semiconductor|bilayer|surface reconstruction

要約(日本語): 我々はこれまでに、Si(111)基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なInSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。今回は、1層目の成長条件に着目し、成長温度、成長レート、蒸着量を最適化し、室温で約36,200cm2/Vsという高い電子移動度を持ったInSb薄膜(膜厚1μm)を成長させた。

PDFファイルサイズ: 1,429 Kバイト