InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC12-2

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): Technological trend of InP/InGaAs MOSFET

著者名: 宮本 恭幸(東京工業大学),金澤 徹(東京工業大学)

著者名(英語): Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Institute of Technology),Toru Kanazawa(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: InP|MOSFET|InGaAsInGaAs|InP|MOSFET|InGaAs

要約(日本語): MOSFETで最大ドレイン電流を大きくすることは重要であるが、シリコンでの限界も指摘されている。そこで、従来のシリコンに変わるチャネル材料として高移動度の化合物半導体を用いることが世界的に期待されている。なかでも最も有望とされるInP系の化合物半導体InGaAsをチャネルに用いたMOSFETについて、その現状を著者の研究例を交えつつ紹介する。

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