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シリコン基板上窒化ガリウムモノリシック集積回路を用いたミリ波大容量無線向け小型高出力増幅器モジュール

シリコン基板上窒化ガリウムモノリシック集積回路を用いたミリ波大容量無線向け小型高出力増幅器モジュール

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カテゴリ: 部門大会

論文No: TC12-3

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): GaN_MMIC on Si substrate High Power Module for Millimeter-wave Broad-band Wireless Access

著者名: 松永 高治(NEC),服部 渉(NEC)

著者名(英語): Kohji Matsunaga(NEC Corporation),Wataru Hattri(NEC Corporation)

キーワード: 窒化ガリウム|増幅器|無線|ミリ波|GaN|Amplifire|Wireless|Millimeter-wave

要約(日本語): ミリ波帯大容量無線アクセス向けに開発した、GaN_MMIC搭載高出力増幅器モジュールの設計と特性を報告する。MMICはSi基板上にエピタキシャル成長されたGaN層上に形成し、ミリ波帯では世界初となるワット級出力を実現している。実現したGaN_MMICを同時に開発した小型無線モジュール上に実装し、良好な40GHz帯大容量無線伝送を確認した結果を報告する。

PDFファイルサイズ: 5,497 Kバイト

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