GaNパワーデバイスのスイッチング応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC12-4

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): GaN-based Power Devices for Switching Applications

著者名: 石田 昌宏(パナソニック),按田義治 (パナソニック),上田 哲三(パナソニック),田中 毅(パナソニック),上田 大助(パナソニック)

著者名(英語): Masahiro Ishida(Panasonic Corporation),Yoshiharu Anda(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation),Tsuyoshi Tanaka(Panasonic Corporation),Daisuke Ueda(Panasonic Corporation)

キーワード: 窒化ガリウム|パワートランジスタ|高耐圧|低オン抵抗|スイッチング|Gallium Nitride|Power Transistor|High Breakdown Voltage|Low On-state Resistance|Switching

要約(日本語): GaN系半導体材料は、絶縁破壊電界強度が高いことに加えて飽和電子速度が大きく、高耐圧・低オン抵抗・大電流動作が求められるスイッチングデバイス用材料として有望である。本講演では、GaNパワーデバイスのスイッチング応用に向けた、低コスト大面積Si基板上へのGaNの成長、p型ゲート層によりノーマリオフと大電流動作を両立させたGIT(Gate Injection Transistor)、高抵抗Si基板の耐圧をデバイスに付加する耐圧ブースト技術などについて紹介する。

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