MOCVD成長によるSi基板上InGaN系太陽電池

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC12-6

グループ名: 【C】平成23年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2011/09/07

タイトル(英語): MOCVD-Grown InGaN-Based Photovoltaic Cells on Si Substrates

著者名: 重川直輝 (NTTフォトニクス研究所),渡邉 則之(NTTフォトニクス研究所),横山 春喜(NTTフォトニクス研究所),杉田 憲一(福井大学),山本 あき勇(福井大学)

著者名(英語): Naoteru Shigekawa(NTT Photonics Laboratories),Noriyuki Watanabe(NTT Photonics Laboratories),Haruki Yokoyama(NTT Photonics Laboratories),Kenichi Sugita(University of Fukui),Akio Yamamoto(University of Fukui)

キーワード: 窒化物半導体|太陽電池|シリコン基板シリコン基板|nitride|photovoltaic cell|silicon substrate

要約(日本語): InGaN系窒化物半導体は、バンドギャップがIn組成に依存し、耐環境性に優れる直接遷移型半導体材料であることから、太陽電池用材料として注目されている。我々はシリコン／窒化物半導体という異種材料からなる高効率タンデム型太陽電池の実現を目指し、InGaN／GaN多重量子井戸構造を吸収層とする太陽電池の検討をすすめている。本報告では、シリコン基板上に結晶成長した多重量子井戸構造及びそれを吸収層とする太陽電池の作製・評価結果について議論する。

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