弱反転領域で動作させたＭＯＳＦＥＴのパラメータI0の温度依存性に関する一考察

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS12-1

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル：弱反転領域で動作させたＭＯＳＦＥＴのパラメータI₀の温度依存性に関する一考察

タイトル(英語): A study on temperature dependence of the parameters I₀ of MOSFET operating in subthreshold region

著者名: 安田 信孝(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Nobutaka Yasuda(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University)

要約(日本語): CMOS集積回路の微細化に伴い、アナログ回路において低電圧・低消費電力動作の必要性が高まっている。低電圧・低消費電力で動作させるために弱反転領域で動作させたMOSFETの温度依存性は重要である。MOSFETを弱反転領域で動作させると電流や電圧は温度によって変化するため、回路特性に影響する。そこで本研究では、拡散電流に基づいたMOSFETのモデル式に用いられているパラメータI₀の温度依存性について調べて、回路の温度依存性の低減に活用する。MOSFET単体のVg-Id特性の測定を行い、モデル式が成り立つVgの範囲を考慮して、測定結果からI₀を導出し、240Kから450Kまでの温度変化を調べた。その結果、I₀が正の温度依存性を持っていることが分かった。I₀の温度依存性を、CMOSインバータを用いた電圧検出器の温度依存性の低減に応用する。

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