1
/
の
1
弱反転領域で動作するMOSカレントミラー回路の温度依存性に関する一考察
弱反転領域で動作するMOSカレントミラー回路の温度依存性に関する一考察
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 部門大会
論文No: GS12-2
グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集
発行日: 2012/09/05
タイトル(英語): A study on temperature dependence of MOSFET current mirror operating in subthreshold region
著者名: 高野 真志(明治大学),関根 かをり(明治大学)
著者名(英語): Masashi Takano(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University)
要約(日本語): 集積回路の中でカレントミラー回路は、重要なアナログ回路のひとつであり、低電圧・低消費電力動作回路などに数多く用いられる。また、電子機器はあらゆる温度条件の下で使用されるため、要素回路であるカレントミラー回路は温度に依存しないことが望ましい。低電圧・低消費電力回路には、弱反転領域動作が有効であるが、弱反転領域で動作するMOSFETの電流は、指数関数的に動作し温度に対しての変化が大きい。本稿では、カレントミラー回路の微小電流に流すことによってMOSFETを弱反転領域で動作させ、その時のミラー誤差について考察する。また、バルクをゲートに接続した回路と、バルクをソースに接続した回路の温度依存性についてシミュレーションにより比較を行った。
PDFファイルサイズ: 2,877 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
