弱反転動作のMOSFETにおけるゲート電圧劣化係数の一考察

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS12-3

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): A study on gate voltage degradation coefficient on MOSFET operating in subthreshold region

著者名: 藤井 達矢(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Tatsuya Fujii(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University)

要約(日本語): CMOS集積回路の微細化に伴い、アナログ回路において低電圧・低消費電力の必要度が上がっている。消費電力を抑えるために弱反転動作で実現させることが有効である。本稿では拡散電流に基づいて導出された、弱反転動作をする４端子のMOSFETのモデル式を適用可能なゲート電圧の温度特性を測定により確認する。MOSFET単体を低温から高温まで変化させ、弱反転領域での動作を測定し、MOSFET単体におけるゲート電圧劣化係数ｒが温度依存性を持つことを考察する。MOSFETが弱反転領域動作するゲート電圧範囲が温度依存性をもつことより、ゲート端子に適切な温度依存性をもつような電圧を与えることによって温度環境の変化においても安定した回路としての特性が得られ、弱反転領域において精度・特性を改善でき、低消費電力化につながる。

PDFファイルサイズ: 4,990 Kバイト