高温超伝導体Bi-2223良質単結晶の育成

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-1

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): High quality single crystal growth of High-Tc Superconductor Bi-2223

著者名: 足立 伸太郎(弘前大学),臼井 友洋(弘前大学),橋本 雄三(弘前大学),渡辺 孝夫(弘前大学),山田 和芳(東北大学),藤井 武則(東京大学)

著者名(英語): Shintaro Adachi(Hirosaki University),Tomohiro Usui(Hirosaki University),Yuzo Hashimoto(Hirosaki University),Takao Watanabe(Hirosaki University),Kazuyoshi Yamada(Tohoku University),Takenori Fujii(The University of Tokyo)

キーワード: 次世代デバイス用先端材料|高温超伝導体|TSFZ法|Bi-2223|単結晶|material|High-Tc superconductor|TSFZ method|Bi-2223|single crystal

要約(日本語): 銅酸化物高温超伝導体の中でも特に注目される物質であるBi₂Sr₂Ca₂Cu₃O_10+δ(略称：Bi-2223、Tc=110K)は、時には数カ月にも及ぶ長時間育成をしなければ良質な単結晶を得ることは難しい上、結晶が小さく、不純物相としてBi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ(Bi-2212、Tc=80K)の混入が多くあるなどの課題が多い。本研究では、大型で高品質なBi-2223単結晶を得るためにTSFZ法による育成条件を検討した。Bi-2223の極めて遅い結晶成長速度を上げるためには、結晶成長の駆動力となる過飽和度を高める必要がある。その方法として、溶融帯の温度勾配を高めることが効果的であることが分かった。

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