Na置換CaCu3Ti4O12単結晶における誘電率
Na置換CaCu3Ti4O12単結晶における誘電率
カテゴリ: 部門大会
論文No: MC6-2
グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集
発行日: 2012/09/05
タイトル:Na置換CaCu3Ti4O12単結晶における誘電率
タイトル(英語): Dielectric constant in Na-doped CaCu3Ti4O12 single crystal
著者名: 臼井 友洋(弘前大理工),川田 桂輔(弘前大理工),小鹿優太 (弘前大理工),足立 伸太郎(弘前大理工),渡辺 孝夫(弘前大理工),岡本 浩(弘前大理工)
著者名(英語): Tomohiro Usui(Hirosaki University),Keisuke Kawata(Hirosaki University),Yuta Koshika(Hirosaki University),Shintarou Adachi(Hirosaki University),Takao Watanabe(Hirosaki University),Hiroshi Okamoto(Hirosaki University)
キーワード: 誘電体|次世代デバイス用先端材料|dielectric|material
要約(日本語): CaCu3Ti4O12 (以下、CCTO)は誘電率が約104で、従来の誘電体に比べ異常に大きな値を示す物質であり新しいコンデンサー材料として期待されている。私たちは、CCTOの物性を研究するためCaサイトをNaで置換させたCa1-xNaxCu3Ti4O12(x=0, 0.2, 0.4, 0.6)単結晶の育成を行い、誘電率測定を行った。発表では、Na置換量による誘電率の周波数依存性について報告する。
PDFファイルサイズ: 1,293 Kバイト
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