AlNを中間層としたSi基板上へのSiCエピタキシャル成長

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-3

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Epitaxial Growth of SiC on Si Substrates with Intermediate AlN Layer

著者名: 中澤 日出樹(弘前大学),鈴木 大樹(弘前大学),成田 次理(弘前大学),山本 陽平(弘前大学)

著者名(英語): Hideki Nakazawa(Hirosaki University),Daiki Suzuki(Hirosaki University),Tsugutada Narita(Hirosaki University),yohei Yamamoto(Hirosaki University)

キーワード: シリコンカーバイド|モノメチルシラン|窒化アルミニウム|ヘテロエピタキシー|silicon carbide|monomethylsilane|aluminum nitride|heteroepitaxy

要約(日本語): モノメチルシラン（CH₃SiH₃）を用いた化学気相成長法によりSi(001)基板/窒化アルミニウム（AlN）層上に立方晶炭化ケイ素（3C-SiC）のエピタキシャル成長を行い、成長条件による結晶性および表面モフォロジーの変化を調べた。Si基板上のAlN層はAlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により形成した。SiCの成長速度はSi基板上に比べてSi基板/AlN層上の方が大きくなることがわかった。Si基板上へのSiC成長は基板温度の増加に伴い基板Si原子の外方拡散が起こりボイドの形成が促進されるが、AlN中間層を導入することでボイドの発生を抑制することに成功した。また、Si基板上には3C-SiC(001)が成長するのに対してSi/AlN上には3C-SiC(111)が成長し、AlN中間層を導入することでSiC薄膜の結晶性および薄膜表面粗さが改善されることがわかった。

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