レーザーアブレーション法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜へのホウ素および窒素の添加効果

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-4

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Effects of boron and nitrogen doping on the properties of DLC films prepared by pulsed laser deposition

著者名: 毛内裕介 (弘前大学),遲澤遼一 (弘前大学),中澤 日出樹(弘前大学)

著者名(英語): Yusuke Monai(Hirosaki University),Ryoichi Osozawa(Hirosaki University),Hideki Nakazawa(Hirosaki University)

キーワード: ダイヤモンドライクカーボン|レーザーアブレーション|窒素|ホウ素|電気抵抗|diamond-like carbon|pulsed laser deposition|nitrogen|boron|electric resistivity

要約(日本語): レーザーアブレーション法によりホウ素（B）、窒素（N）、およびその両方を添加したダイヤモンドライクカーボン（DLC）薄膜を作製し、作製条件による構造、機械的特性、電気特性などを系統的に評価した。膜中にNを添加する場合は成膜中に窒素ガスを導入し、Bを添加する場合はB添加グラファイトターゲットを用いた。DLC膜にB、N、およびその両方を添加することにより内部応力が減少した。スクラッチ試験によりBを添加した膜の方が無添加DLC膜に比べて臨界加重が増加することがわかった。これはB添加による内部応力の減少によるものだと考えられる。また、N添加DLC膜とBおよびN共添加DLC膜では無添加DLC膜より高い臨界荷重を示す最適な窒素圧力が存在することがわかった。一方、B、N、およびその両方を添加した膜は、適切な窒素圧力で無添加DLC膜よりも低い電気抵抗率を示した。

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