ガスソースMBE法により作製した高密度Geナノドット/SiC積層構造

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-5

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): High-density Ge nanodot/SiC Stacked Structure Fabricated by Gas Source MBE Using Organometallic Compounds

著者名: 姉崎 豊(長岡技術科学大学),佐藤 魁(長岡技術科学大学),大谷 孝史(長岡技術科学大学),加藤 孝弘(長岡技術科学大学),加藤有行 (長岡技術科学大学),末光 真希(東北大学),成田 克(山形大学),中澤 日出樹(弘前大学),安井 寛治(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Yutaka Anezaki(Nagaoka University of Technology),Kai Satou(Nagaoka University of Technology),Takashi Ootani(Nagaoka University of Technology),Takahiro Kato(Nagaoka University of Technology),Ariyuki Kato(Nagaoka University of Technology),Maki Suemitsu(Research Institute of Electrical Communication,Tohoku University),Yuzuru Narita(Yamagata University),Hideki Nakazawa(Hirosaki University),Kanji Yasui(Nagaoka University of Technology)

キーワード: ゲルマニウム|ナノドット|炭化ケイ素|積層構造|Ge|nanodot|SiC|stacked structure

要約(日本語): ガスソースMBE法によりモノメチルゲルマンを用いてSi基板上にc-(4x4)構造形成後、高密度Ge SiCナノドットを形成した。その構造を走査型トンネル顕微鏡（STM）にて評価する共に，X線光電子分光法（XPS）によるデータをもとにGeとSiCドットの密度比について考察した。またモノメチルシランを用いてドット層上にSiCキャップ層を形成し，SiC/Geナノドット/SiCx積層構造を作製した。その積層構造の低温フォトルミネッセンス（PL）測定によりGeドット由来の発光を観測した。更にドット形成温度によるPLスペクトルの違いを考察した。

PDFファイルサイズ: 3,981 Kバイト