触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いた高品位ZnO膜のエピタキシャル成長技術

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-6

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Epitaxial growth technique of high-quality ZnO films using high-energy H2O generated by a catalytic reaction

著者名: 永富 瑛智(長岡技術科学大学),山口 直也(長岡技術科学大学),里本宗一 (長岡技術科学大学),三浦 仁嗣(長岡技術科学大学),加藤 孝弘(長岡技術科学大学),安井 寛治(長岡技術科学大学)

著者名(英語): Eichi Nagatomi(Nagaoka University of Technology),Naoya Yamaguchi(Nagaoka University of Technology),Souichi Satomoto(Nagaoka University of Technology),Hitoshi Miura(Nagaoka University of Technology),Takahiro Kato(Nagaoka University of Technology),Kanji Yasui(Nagaoka University of Technology)

キーワード: エピタキシャル|酸化亜鉛|高エネルギーH2O|触媒反応|epitaxial|zinc oxide|high-energy H2O|catalytic reaction

要約(日本語): 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の触媒反応により生成した高エネルギーH2Oビームとアルキル亜鉛ガスとの反応により高品位ZnO結晶膜を成長させた。A面及びC面サファイア基板上に成長させたZnO膜の結晶性，光学特性，電気伝導特性を評価したところ，A面サファイア基板上成長膜の電子移動度は最高で180cm2/Vsより大きく，これまでパルスレーザー堆積法や分子線エピタキシー法でサファイア基板上に成長させたZnO膜より大きな値を得た。この優れた電気伝導特性の原因について結晶性や不純物測定データから考察した。

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