ECRプラズマ法によって作製したp型並びにn型GeNx/Ge構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-7

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル：ECRプラズマ法によって作製したp型並びにn型GeN_x/Ge構造のコンダクタンス法による界面準位密度評価

タイトル(英語): Interface-State-Density Evaluation of p-type and n-type GeN_x/Ge Structures Fabricated by ECR-Plasma Techniques by Conductance Method

著者名: 岩崎 拓郎(弘前大学),小野 俊郎(弘前大学),王谷洋平 (諏訪東京理科大学),福田 幸夫(諏訪東京理科大学),岡本 浩(弘前大学)

著者名(英語): Takuro Iwasaki(Hirosaki University),Toshiro Ono(Hirosaki University),Yohei Otani(Tokyo University of Science,Suwa),Yukio Fukuda(Tokyo University of Science,Suwa),Hiroshi Okamoto(Hirosaki University)

キーワード: Ge-MIS|界面準位|コンダクタンス法コンダクタンス法|Ge-MIS|Interface State|Conductance Technique

要約(日本語): 次世代のMOSデバイスに向けてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質向上が課題とされている。我々はこれまでECR (Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法によって界面準位密度の低いGeN_x/Ge構造が作成できること、通常のコンダクタンス法評価が室温では適用できないGe-MIS構造においても反転領域における特性解析により界面準位密度の室温評価が可能であり、室温と低温における評価の組合せによってバンドギャップ上半分と下半分における界面準位密度評価ができることなどを報告してきた。本報告では、p型並びにn型GeN_x/Ge構造の室温と低温におけるコンダクタンス法による界面準位密度評価、並びにプロセス依存性評価の結果を示す。p型n型両タイプにおいてミッドギャップ付近を最低密度とするほぼ対称な界面準位密度分布が得られていること、600℃までのアニールにおいて熱的に安定していることなどが明らかになった。

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