ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-8

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): DLTS Evaluation of Near-Interface Traps in Ge-MIS Structures Fabricated by ECR-Plasma Techniques

著者名: 岡本 浩(弘前大学),成田 英史(弘前大学),佐藤真哉 (弘前大学),岩崎 拓郎(弘前大学),小野 俊郎(弘前大学),王谷洋平 (諏訪東京理科大学),福田 幸夫(諏訪東京理科大学)

著者名(英語): Hiroshi Okamoto(Hirosaki University),Hidehumi Narita(Hirosaki University),Shinya Sato(Hirosaki University),Takuro Iwasaki(Hirosaki University),Toshiro Ono(Hirosaki University),Yohei Otani(Tokyo University of Science,Suwa),Yukio Fukuda(Tokyo University of Science,Suwa)

キーワード: Ge-MIS|トラップ|DLTSDLTS|Ge-MIS|trap|DLTS

要約(日本語): 近年Geを用いたMIS構造が次世代のデバイス候補として注目を集めているが、界面の品質向上が課題となっている。これまでに我々はECR(Electron Cyclotron　Resonance)プラズマ法により高品質なGe-MIS構造の作製に成功し、コンダクタンス法による評価によって低い界面準位密度が得られていること、プラズマプロセス後の還元性雰囲気アニールによって界面準位密度が低減できることを示すとともに、DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) 法による評価が界面準位以外の欠陥の評価に有効であることを報告してきた。本報告ではDLTS法によって検出される種々のトラップの性質と、これらのトラップ密度のアニールによる変化について述べる。上記還元性雰囲気アニールによって界面準位密度以外のトラップ密度も低減されることが確認された。

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