ＺｎＯ透明導電膜の電気特性と膜のミクロ構造の関係

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC6-9

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Electrical Properties and Microstructures of ZnO Transparent Films

著者名: 山本 直樹(高知工科大学),森澤 桐彦(高知工科大学)

著者名(英語): Naoki Yamamoto(Kochi University of Technology),Kirihiko Morisawa(Kochi University of Technology)

キーワード: 酸化亜鉛透明導電膜|Thorntonの多結晶構造ゾーンモデル|マグネトロン　スパッター|抵抗率|基板温度アルゴン圧|ZnO transparent conductive film|Thornton's microstrucure zone model|magnetron sputtering|resistivity|substrate temperatureAr pressure

要約(日本語): ITO代替として注目されているGa添加ZnOをマグネトロンスパッタ装置により形成し、膜の電気特性（抵抗率など）と膜表面形態の関係を調べた。実験ではGa2O3含有量が４重量％から６重量％のZnOスパッタターゲットを用いた。液晶ディスプレイ製造プロセスで許容される温度範囲においては、成膜条件(温度、圧力)と膜の表面形態の関係はThorntonnの多結晶構造ゾーンモデルが良く対応することを示した。このモデルにおけるZone Iの低温プロセス条件では少し丸みを帯びた石を石垣状に敷き詰めた表面形態をしており、より高温のZnne T領域で形成した膜は多数のテトラポットを密に積み上げた表面形態を有することがわかった。このようにZnOのZone IとZone Tの境界温度である２２０℃の上下数１０℃の狭い成膜温度範囲において電気特性とともに表面形態(構造)が全く異なる多結晶体に遷移することを明らかにした。

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