ニューロンCMOSインバータを用いたフラッシュ型AD変換回路の動作特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS2-3

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Operating Characteristics of the Flash Type A/D Converter using Neuron CMOS Inverters

著者名: 佐藤祥輝 (東海大学),吉田 正廣(東海大学),藤本 邦昭(東海大学)

著者名(英語): Yoshiki Sato(Tokai University),Masahiro Yoshida(Tokai University),Kuniaki Fujimoto(Tokai University)

キーワード: ニューロンMOS|AD変換回路|Neuron MOS|A/D Converter

要約(日本語): AD変換回路の消費電力は、デジタル機器の消費電力の大きな部分を占めており、その改善が望まれている。筆者らは、AD変換回路を構成するのに消費電力の大きなオペアンプを使用せず、ニューロンCMOSインバータを用いたフラッシュ型AD変換回路を提案した。提案回路では、1個のニューロンCMOSインバータに2つの電圧レベルを判定させることにより、従来のフラッシュ型AD変換回路と比べ素子数を半減させ、消費電力の削減を図っている。本稿では、SPICEを用いたシミュレーションにより提案回路の消費電力、サンプリング周波数など動作特性を詳細に検討すると共に、最小ゲート長2.0μm、１層ポリシリコンゲート、２層アルミ配線のCMOSプロセスを用いて提案回路を試作し、所望のAD変換動作が得られることを確認したので報告する。

PDFファイルサイズ: 1,244 Kバイト