ダブルフィードバックアクティブインダクタの低電源電圧化手法

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS2-11

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Low Voltage Technique for Double-Feedback Active Inductor

著者名: 石井 龍之介(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),塚田 敏郎(東京理科大学),関根 慶太郎(東京理科大学)

著者名(英語): Ryunosuke Ishii(Tokyo Uiversity of Science),Akira Hyogo(Tokyo Uiversity of Science),Toshiro Tsukada(Tokyo Uiversity of Science),Keitaro Sekine(Tokyo Uiversity of Science)

キーワード: CMOS|アクティブインダクタ|低電源電圧低電源電圧|CMOS|active inductor|low voltage

要約(日本語): 微細化が進むアナログ集積回路において、インダクタは他の素子に比べて大きな専有面積を持つためチップコストが高くなる。また、高い選択性を必要とする際に必要となるQ値が得られないなどの問題がある。この問題の解決法として、微細な能動素子であるMOSFETを用い、誘導性のインピーダンスを実現するアクティブインダクタ手法がある。しかし、プロセスの微細化により回路システム全体の低電源電圧化が求められているためQ値を高めることが可能なカスコードなどの工夫が制限される。そこで、低電源電圧に向いた構成として、負性抵抗により不要な抵抗成分を打ち消しQ値を高めるダブルフィードバック構成が提案されている。本研究では、ダブルフィードバック構成で使われるn型ソースフォロワにp型ソースフォロワを組み合わせてレベルシフトすることで、従来回路と比較してしきい電圧１つ分低電源電圧で動作可能なアクティブインダクタを提案する。

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