二帯域で動作可能なCMOS E級電力増幅回路

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS2-12

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Dual-band CMOS Class-E Power Amplifier

著者名: 宮内 大(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),塚田 敏郎(東京理科大学),関根 慶太郎(東京理科大学)

著者名(英語): Dai Miyauchi(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science),Toshiro Tsukada(Tokyo University of Science),Keitaro Sekine(Tokyo University of Science)

キーワード: ＣＭＯＳ|高周波|Ｅ級電力増幅回路|二帯域|CMOS|RF|Class-E power amplifier|dual-band

要約(日本語): 近年、無線通信機器に対して、汎用性の観点から複数のアプリケーションへの対応が要求されている。そのため、一つの回路で複数の特性に対応することによる、機器の小型化、低コスト化への期待が高まっている。本稿では、無線機において送信する信号を増幅する役割を担う電力増幅回路(Power Amplifier; PA)の中でも、理想効率の高いE級PAの二帯域動作化に関する一手法を提案する。今日までに、オンチップで複数の周波数に対応するCMOSプロセスを用いたE級PAの報告は無いため、本稿では全ての回路素子をチップ内に実装することを想定する。提案回路は二種類のインピーダンス変換回路を利用することで効率の劣化原因を削減しつつ、集積回路で最も専有面積が大きいインダクタを増加させることなく二帯域動作を可能にしており、単周波数で動作する基本回路を二つ実装する場合と比較して、面積を24.4%削減した。

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