レーザーアブレーション法によるSi基板上SiC薄膜成長

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS6-1

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Growth of SiC thin films on Si Substrates by Pulsed Laser Deposition

著者名: 成田 次理(弘前大学),鈴木 大樹(弘前大学),山本 陽平(弘前大学),中澤 日出樹(弘前大学)

著者名(英語): Tsugutada Narita(Hirosaki University),Daiki Suzuki(Hirosaki University),Yohei Yamamoto(Hirosaki University),Hideki Nakazawa(Hirosaki University)

キーワード: 炭化ケイ素|窒化アルミニウム|レーザーアブレーション|ヘテロエピタキシー|silicon carbide|aluminum nitride|pulsed laser deposition|heteroepitaxy

要約(日本語): 炭化ケイ素ターゲットを用いたレーザーアブレーション（PLD）法によりSi(001)基板上およびSi(001)基板/窒化アルミニウム（AlN）層上に立方晶炭化ケイ素（3C-SiC）のヘテロエピタキシャル成長を行い、成長条件による結晶性および表面モフォロジーの変化を調べ、モノメチルシラン（CH₃SiH₃）を用いたCVD法によるSiC薄膜と比較した。また、成長させたSiC薄膜を真空中で高温加熱し、グラフェンの形成を試みた。AlN層はAlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により形成した。Si基板上へのSiC成長では、CVD法に比べてPLD法で作製した方が、ボイドの形成が抑制されることがわかった。また、PLD法で作製したSiC薄膜の方が結晶性および表面モフォロジーが優れていた。さらに、AlN中間層を導入することでボイドの発生が抑えられ、表面粗さが改善されることがわかった。

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