マグネトロンスパッタ法によるDLC薄膜の窒素添加効果

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS6-2

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Effects of nitrogen doping in DLC thin films prepared by magnetron sputtering

著者名: 河端 聡(弘前大学),川上 裕也(弘前大学),中澤 日出樹(弘前大学)

著者名(英語): Satoshi Kawabata(Hirosaki University),Yuya Kawakami(Hirosaki University),Hideki Nakazawa(Hirosaki University)

キーワード: ダイヤモンドライクカーボン|マグネトロンスパッタ|窒素|電気抵抗|diamond-like carbon|magnetron sputtering|nitrogen|electric resistivity

要約(日本語): 反応性マグネトロンスパッタ法を用いて窒素添加ダイヤモンドライクカーボン（DLC）薄膜を作製し、窒素の添加量および圧力を変化させたときの膜特性の変化を調べた。ターゲットにはグラファイトターゲットを用い、スパッタリングガスとしてArを導入しSi(100)基板上にDLC膜を堆積させた。成膜中に窒素ガスを導入し、窒素ガスの流量比を変化させることによって窒素添加量を調節した。窒素流量比の増加に伴い抵抗率は減少し、摩擦係数と摩耗量は増加傾向を示した。また、成膜圧力の減少に伴い摩擦係数と摩耗量は減少傾向を示したが、基板との付着力は減少した。したがって、DLCの優れた摩擦摩耗特性を維持し電気抵抗を下げるためには成膜圧力を低くし窒素を添加すれば良いと考えられる。

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