SOIを用いた神経回路網モデルの耐環境性評価に対する一検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS6-7

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): A Study on Evaluation of Resistance to Environment of ANN using SOI

著者名: 奥山 敦司(日本大学),渡邊 晋吾(日本大学),佐伯 勝敏(日本大学),関根 好文(日本大学)

著者名(英語): Atsushi Okuyama(Nihon University),Shingo Watanabe(Nihon University),Katsutoshi Saeki(Nihon University),Yoshifumi Sekine(Nihon University)

キーワード: シングルイベント効果|トータルドーズ効果|パルス形ハードウェアニューロンモデル|SOI|ANN|Single Event Effect|Total Ionizing Dose Effect|pulse-type hardware neuron model|Silicon on Insulator|Artificial Neural Network

要約(日本語): 近年，高集積化によって，宇宙環境等の放射線環境下ではその影響を受けやすく，放射線により偶発的に回路に大電流が流れるシングルイベント効果(以下SEE)，素子に照射した放射線の電離により特性が劣化するトータルドーズ効果(以下TID)が発生するといった現象が大きな問題となっている。本稿では，ニューラルネットワーク(以下ANN)を組み込んだヒューマノイドロボットが，放射線環境下でSEEやTIDが発生した場合においても動作可能とするためにSOIを用い，パルス形ハードウェアニューロンモデル(以下P-HNM)で構成したANNの耐環境性評価に対する検討を行った。その結果，TIDについてはSOIにする事により，しきい値変化による動作範囲が広がる事を明らかにし，SEEについてはANNの出力波形が，MOSではSEEが発生した後の波形に変化が生じたものの，SOIにする事で影響がなくなることを明らかにしている。

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