熱に配慮したナノデバイスの設計

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC9-2

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): Thermal-aware design of nanoscale devices

著者名: 内田 建(慶應義塾大学,東京工業大学),高橋 綱己(慶應義塾大学,東京工業大学)

著者名(英語): Ken Uchida(Keio University,Tokyo Institute of Technology),Tsunaki Takahashi(Keio University,Tokyo Institute of Technology)

キーワード: トランジスタ|自己加熱効果|SOISOI|transistor|self-heating effect|SOI

要約(日本語): 立体構造トランジスタは短チャネル効果の抑制に有効であることから，次世代のデバイス構造として注目されている。一般的に，立体構造トランジスタは，熱伝導率の悪い絶縁膜上に作製することから，動作時の発熱がデバイスの特性や信頼性を劣化させると懸念されている。本研究では，ナノデバイスの動作時温度が，1) デバイス構造に強く依存すること，また，2) デバイス構造を工夫することで温度を効果的に抑制可能であることを示す。

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