将来のメモリシステム開発の方向性とデバイスへの期待

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC9-3

グループ名: 【C】平成24年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2012/09/05

タイトル(英語): R&D Trend of Memory Systems and their Requirements for Device Technologies.

著者名: 木下 敦寛(東芝研究開発センター)

著者名(英語): Atsuhiro Kinoshita(Corporate R&D Center,Toshiba Corp.)

キーワード: メモリ|システム|ストレージクラスメモリ|不揮発メモリ|ビッグデータクラウドコンピューティング|Memory|System|Storage Class Memory|Non-volatile memory|Big dataCloud computing

要約(日本語): これまでのメモリ技術の研究開発は，主に，新しい物理現象や材料・デバイス構造などから用途を探る，ボトムアップ的なアプローチによって行われてきた．しかし，高度に複雑化した既存のシステムに対し，これら新規のメモリ技術を導入してゆくためには，アプリケーションやシステム側からの要請をスペック化し，それを満たすような技術を研究開発する，トップダウン的なアプローチが必要となる．本講演では，メモリシステムとして近年注目を集めているストレージクラスメモリを中心に，トップダウンアプローチによる研究開発のトレンドについて紹介する．

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