Si基板上に作製したGaN-HEMTカスコードデバイスの動特性解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS14-6

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): An Analysis of Dynamic Characteristics of a Cascode GaN-HEMT on Si Substrate

著者名: 廣瀬 達哉(富士通研究所,富士通セミコンダクター),常信和清 (富士通研究所),今井 三貴(富士通研究所),荻野 力(富士通セミコンダクター),庄野 健(富士通セミコンダクター),浅井 祥守(富士通セミコンダクター)

著者名(英語): Tatsuya Hirose(Fujitsu Laboratories LTD.,Fujitsu Semiconductor Limited),Kazukiyo Joshin(Fujitsu Laboratories LTD.),Miki Imai(Fujitsu Laboratories LTD.),Tsutomu Ogino(Fujitsu Semiconductor Limited),Ken Shono(Fujitsu Semiconductor Limited),Yoshimori Asai(Fujitsu Semiconductor Limited)

キーワード: 窒化ガリウム|高電子移動度トランジスタ|スイッチング電源|動特性|GaN|HEMT|Switching Mode Power Supply|Dynamic Characteristics

要約(日本語): 本報告では、Si基板上に作製した高耐圧カスコード型GaN-HEMTを用いた昇圧回路ならびに力率改善回路のハードスイッチング応答特性の各波形パラメータ依存性を解析した結果について述べる。

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