3D/2.5D-IC TSVにおける低温SiNx膜の評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: MC5-5

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): Characterization of Low Temperature SiNx Films for 3D/2.5D-IC TSV

著者名: 小林 靖志(富士通研究所),中田 義弘(富士通研究所),武山 真弓(北見工業大学),佐藤 勝(北見工業大学),野矢 厚(北見工業大学),中村 友二(富士通研究所)

著者名(英語): Yasushi Kobayashi(FUJITSU LABORATORIES LTD.),Yoshihiro Nakata(FUJITSU LABORATORIES LTD.),Mayumi Takeyama(Kitami Institute of Technology),Masaru Sato(Kitami Institute of Technology),Atsushi Noya(Kitami Institute of Technology),Tomoji Nakamura(FUJITSU LABORATORIES LTD.)

要約(日本語): 3D-ICや2.5D-IC等で適用されているSi貫通ビア(TSV)形成技術においては、周辺プロセスの温度制約があることに加えCu拡散性の高いSi中にCuビアを形成するため、低温成膜可能なCu拡散防止性の高いバリア絶縁膜が必須となる。しかしながら、現状で使用されるバリア絶縁膜はPECVD-SiNxに代表されるように400℃以上の高温で成膜されていることや、どのような材料パラメータがバリア絶縁膜としての特性に寄与するかは明らかにされていない。
本研究では、反応性スパッタ法およびPECVD法を用いて様々な組成のSiNx膜のキャラクタリゼーション評価を通して、組成や薄膜物性が絶縁特性に与える影響を明らかにしたので報告する。

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