急峻な電圧波形を有するノーマリーオン型SiC-SIT駆動回路

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS1-2

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): Gate Driver for Normally-On SiC-SIT with Steep Voltage Wave Form

著者名: 内藤優太 (山梨大学),佐藤 隆英(山梨大学)

著者名(英語): Yuta Naito(Yamanashi University),Takahide Sato(Yamanashi University)

キーワード: 炭化ケイ素|駆動回路|ノーマリーオン|SiC静電誘導型トランジスタ|Silicon Carbide(SiC)|Gate Driver|Normally-On|SiC-SIT

要約(日本語): 　本稿は、SiC-静電誘導型トランジスタSIT（Static induction transistor）やJFETなどのノーマリーオン型の素子に適した駆動回路を提案している。提案回路は、制御信号の立ち上がりおよび立ち下り時にトランスに生ずる急速な電圧変化を用いて制御対象のゲート・ソース間電圧に与える駆動電圧を生成するため、駆動信号の立ち上がりおよび立ち下り時の傾きを急峻にすることが出来る。ハードスイッチング時のスイッチング損失はスイッチング素子の状態が遷移する時間に比例するため、提案回路の使用により制御対象の素子のスイッチング損失の低減が可能となる。また、提案回路は駆動信号が停止した際に制御対象のゲート・ソース間電圧を負電圧に保つことが出来るため、制御対象がノーマリーオン型の素子である場合にも確実に遮断することが出来る。提案回路の効果は、シミュレーションおよび実験により確認している。

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