弱反転領域動作MOSFETカレントミラーにおける温度特性の改善

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS1-5

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): Improvement of temperature characteristics in subthreshold MOSFET current mirror

著者名: 満田 亮(明治大学),和田 和千(明治大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Ryo Mitsuda(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University)

キーワード: 低電圧カレントミラー|弱反転領域|温度特性|漏れ電流|チャネル長|low voltage current mirror|subthreshold|temperature characteristics|leak current|channel length

要約(日本語): 近年，MOSFETの微細化により，低電圧回路の需要が高まっている。その際，MOSFETの弱反転領域を利用すると実現可能であるが，環境変化等にかなり敏感であるため，温度などの環境変化への考察が必要である。弱反転領域のカレントミラーにはソース端子とバルク端子を接続した基本的回路と，ゲート端子とバルク端子を接続した低電圧回路が用いられている。基本的回路では出力電流がチャネル電流のみであり温度と共に増加する。しかし低電圧回路ではチャネル電流のほかに，バルク-ソース間のpn接合による漏れ電流が発生する。チャネル電流と漏れ電流の温度特性はチャネル長によって変化する。よって，低電圧回路では出力電流の温度特性をチャネル長により改善することができる。本稿ではチャネル長，チャネル幅をそれぞれ変化させて出力電流の温度特性を実測により確認し，温度特性の改善について検討する。

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