アクティブフィードバックを用いたノイズキャンセル低雑音増幅器の高線形化に関する検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS1-7

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): High-Linearity Design of Low Noise Amplifier using Noise-Canceling Active Feedback

著者名: 高橋 渓輔(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学),塚田 敏郎(東京理科大学)

著者名(英語): Keisuke Takahashi(Tokyo University of Science),Akira Hyogo(Tokyo University of Science),Toshiro Tsukada(Tokyo University of Science)

キーワード: シーモス|低雑音増幅器|線形性線形性|CMOS|LNA|Linearity

要約(日本語): 雑音増幅器(Low Noise Amplifier; LNA)は無線受信機の初段に用いられる回路であり、システムの雑音特性に最も影響するブロックである。そこで低雑音を達成するUWB向けLNAとして単一入力で差動出力を持つアクティブフィードバックLNA(以下AFLNAと略)が提案されている。また一般的に周波数の近い複数の信号が非線形な回路を通ると3次の相互変調歪みによって所望の周波数帯域に妨害波が現れ、比較的受信電力が大きい場合は無視することが出来なくなる。このため歪みの少ないLNAが必要とされている。本稿では、AFLNAのゲート接地(Common Gate; CG)段を構成するMOSFETの歪み特性に着目し、CG段の3次高調波歪みを抑える検討を行った。シミュレーションの結果、IIP3を1.4-6.9dBm改善することができた。

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