PTAT電圧発生回路による熱検知遮断回路の遮断温度の調整
PTAT電圧発生回路による熱検知遮断回路の遮断温度の調整
カテゴリ: 部門大会
論文No: PS1-10
グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集
発行日: 2013/09/04
タイトル(英語): Adjustment of Cut-off Temperature of Thermal Shutdown Circuit with PTAT Voltage Generation Circuit
著者名: 森谷雄太 (明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学)
著者名(英語): Yuta Moriya(Meiji University),Kawori Sekine(Meiji University),Kazuyuki Wada(Meiji University)
キーワード: PTAT電圧発生回路|サーマルシャットダウン|温度依存性温度依存性|PTAT Voltage Generator|Thermal Shutdown|Temperature Dependence
要約(日本語): PTAT電圧発生回路は絶対温度に比例した出力電圧が得られる回路であり,温度センサやバンドギャップリファレンス回路に使用されている.また,負の温度係数を持つ回路と組み合わせることにより,温度に依存せず常に一定の基準電圧を供給する回路が考えられる.温度センサの応用例として,チップが異常発熱をするとその温度を感知し,出力電圧を遮断するサーマルシャットダウン回路があり,それはPTAT電圧発生回路と三段構成のCMOSインバータを組み合わせることにより実現可能である.しかし,CMOSインバータ自体が温度依存性を持つため,温度依存性を低減させることが望まれる.本稿では,PMOSFETのバルク電圧にPTAT電圧発生回路を印加することにより温度依存性を低減させたCMOSインバータを提案し,回路の温度特性について考察を行った.
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