次世代LSI用微細CMOSFETの特性解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS1-14

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): Characteristic Analysis of Advanced CMOSFETs for Next-Generation LSIs

著者名: 星 誠(弘前大学),渡邊 眞之(弘前大学),小林 徹哉(弘前大学),深瀬 政秋(弘前大学),黒川 敦(弘前大学)

著者名(英語): Makoto Hoshi(Hirosaki University),Masayuki Watanabe(Hirosaki University),Tetsuya Kobayashi(Hirosaki University),Masaaki Fukase(Hirosaki University),Atsushi Kurokawa(Hirosaki University)

キーワード: MOSFET|FinFET|電流|遅延|ゲート容量|MOSFET|FinFET|Current|Delay|Gate Capacitance

要約(日本語): 半導体集積回路の微細加工製造技術は進歩を続け、先端LSIは間もなく28nmテクノロジが量産レベルに入る。CMOSFETが登場して以来、一般用途のLSIは32nmテクノロジまではトランジスタ構造はほとんど変わらず、プレーナ型バルク上に1つの矩形ゲートが用いられてきた。20nm世代では、FinFET やFD-SOI（Fully Depleted - Silicon On Insulator、完全空乏型SOI）が実用化に入ってきている。SOIはバルクを用いないため、従来のバルクCMOSFETに比べ、リーク電流の低減、高速伝送が可能である。本発表では次世代LSIに向けた微細CMOSFETの遅延・電流特性を解析により明確にする。

PDFファイルサイズ: 3,061 Kバイト