バイアス電流重畳と並列抵抗素子の接続による高周波トランスアイソレーション制御性の改善

カテゴリ: 部門大会

論文No: PS1-15

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): Improvement on Isolation Controllability in an RF Transformer by Combining a Bias Current Superimposing Technique and a Parallel Resistor Arrangement

著者名: 川口 雅人(三重大学),竹尾 隆(三重大学)

著者名(英語): Masato Kawaguchi(Mie University),Takashi Takeo(Mie University)

キーワード: 透磁率|バイアス電流|並列抵抗素子|フェライト|アイソレーション|Permeability|Bias current|Parallel resistor|Ferrite|Isolation

要約(日本語): 分配器や分岐器等の高周波デバイスは分配・分岐損失やアイソレーションと呼ばれる特性によってその性能が評価される。そうしたデバイスのコア材として使用されるフェライトは周波数依存性、温度依存性を有しており、特にアイソレーション特性には大きな温度依存性が現れることが分かっている。従来はこうしたデバイス特性の変動に対しては、使用するコア材を選別したり、加工したりすることによって対処してきたが、手間やコストがかかるという問題点を抱えていることから、筆者らは高周波トランスにバイアス電流を重畳することでフェライト透磁率を制御し、デバイスの特性を能動的に制御する手法を提案してきた。しかし、高周波トランスのアイソレーション温度特性補償については上記の方法では十分ではなく、本発表ではこの問題点を解決するために抵抗素子を並列接続することによってアイソレーション制御性を改善した結果について報告する。

PDFファイルサイズ: 2,979 Kバイト