超100GHz応用に向けた化合物半導体高速デバイス・回路開発の現状と展望

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC14-2

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): Present Status and Future Prospects of Compound Semiconductor High-Speed Devices and Circuits for over 100 GHz Applications

著者名: 原 直紀(富士通),高橋 剛(富士通),牧山 剛三(富士通),芝 祥一(富士通),佐藤 優(富士通),松村 宏志(富士通),川野 陽一(富士通),鈴木 俊秀(富士通),中舍 安宏(富士通)

著者名(英語): Naoki Hara(Fujitsu),Tsuyoshi Takahashi(Fujitsu),Kozo Makiyama(Fujitsu),Shoichi Shiba(Fujitsu),Masaru Sato(Fujitsu),Hiroshi Matsumura(Fujitsu),Yoichi Kawano(Fujitsu),Toshihide Suzuki(Fujitsu),Yasuhiro Nakasha(Fujitsu)

キーワード: ミリ波|テラヘルツ波|高電子移動度トランジスタ|バックワードダイオード|大容量通信イメージング|Millimeter wave|Terahertz wave|High Electron Mobility Transistor|Backward Diode|Large Capacity CommunicationImaging

要約(日本語): 近年、スマートフォンやタブレットの普及およびコンテンツの情報量増加に伴い、モバイルネットワークや一般の通信伝送路のトラフィック量が急激に増加しており、移動無線基地局間や光ケーブルを補完する無線通信伝送路の大容量化が求められている。放送分野においても、高精細映像を非圧縮で多重に伝送するニーズが高まっており、大容量無線が求められている。こうした背景で、大容量化のために必要な広帯域を確保しやすいミリ波・テラヘルツ波帯が注目されている。イメージング応用でも、物体を透過性することや波長が短いことにより高分解能検知が可能であることから、ミリ波・テラヘルツ波を使用する利点がある。本稿では、100 GHzを超える周波数帯での応用に向けた化合物半導体高速デバイス・回路開発の現状と将来展望を述べる。

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