InGaAs MOSFETの現状と将来展望

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC14-3

グループ名: 【C】平成25年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2013/09/04

タイトル(英語): Present status and future perspective of InGaAs MOSFETs

著者名: 宮本 恭幸(東京工業大学),金澤 徹(東京工業大学)

著者名(英語): Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Institute of Technology),Toru Kanazawa(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: InGaAs|MOSFET|InGaAs|MOSFET

要約(日本語): 論理回路としてのCMOS回路は広く使われており、そのチャネル材料はいままでSiのみに限られてきたが、今後の低電圧化においてその高駆動能力を生かしてSiに代わってnMOSFETのチャネル材料となる新たなチャネル材料の探索が行われている。国際半導体技術ロードマップ(ITRS)のProcess, Integration, Devices, and Structures(PIDS)において、Geと並んでIII-Vチャネルのみが数値的目標を規定されているが、III-Vチャネルの中で最も期待されているのはInGaAs MOSFETである。本報告では海外等の動向も交えつつ、InGaAs MOSFETの現状と今後の展望について述べる。

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